SILIKONIO KARBIDO DĖKLAS
Taikymas: ICP ėsdinimo procesas epitaksinio sluoksnio plonasluoksnėms medžiagoms (GaN, SiO2 ir kt.) LED plokštelių šerdims, puslaidininkių difuzijai naudojant tikslias keramines dalis ir MOCVD epitaksiniam procesui puslaidininkinėms plokštelėms. Silicio karbido keramikos padėklai yra pagaminti iš didelio grynumo, nesuslėgtos sukepintos silicio karbido keraminės medžiagos, kurios privalumai yra didelis kietumas, atsparumas dilimui, didelis šilumos laidumas, mechaninis stabilumas aukštoje temperatūroje ir atsparumas korozijai, taip pat didelis tikslumas ir vienodumas. plokštelės epitaksinio sluoksnio ėsdinimas.
Aprašymas
SiC padėklai turi daug privalumų, palyginti su kitų tipų padėklais. Visų pirma, dėl didelio šilumos laidumo jie idealiai tinka terminio apdorojimo procesams, tokiems kaip sukepinimas ir litavimas. Jie gali atlaikyti iki 1650 laipsnių temperatūrą, nesikreipdami ar nesuyra, o tai reiškia, kad juos galima naudoti atšiaurioje aplinkoje, kur kitos medžiagos sugestų.
Antra, silicio karbido padėklai yra chemiškai inertiški ir nereaguoja su dauguma cheminių medžiagų, įskaitant rūgštis, bazes ir druskas. Dėl šios savybės jie idealiai tinka naudoti chemijos ir farmacijos pramonėje, kur dažnai naudojamos stiprios cheminės medžiagos.
Trečia, SiC padėklai yra labai atsparūs dilimui ir turi mažą šiluminio plėtimosi koeficientą. Dėl to jie idealiai tinka naudoti aukštos temperatūros krosnyse, kur dalys turi gerai tilpti, o ne išsiplėsti ar susitraukti dėl šiluminių pokyčių.
